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G10N10A

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N100V,RD(MAX)130mOHM@10V,TO-252

G10N10A データシート

compliant

G10N10A 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
4851 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 130mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 690 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 28W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252 (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

MTDF1N03HDR2
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TPN6R303NC,LQ
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