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G12P10K

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P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

G12P10K データシート

非準拠

G12P10K 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
2468 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1720 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 57W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPP90R800C3XKSA2
NVMYS2D4N04CTWG
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$0 $/ピース
BUK654R0-75C,127
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$0 $/ピース
IXFP26N50P3
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$0 $/ピース
RM70P40LD
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$0 $/ピース
PJQ5442_R2_00001
TSM60NB600CP ROG
CSD17552Q5A
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$0 $/ピース
TPH3206PD
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$0 $/ピース

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