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G15N10C

G15N10C

G15N10C

N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1

SOT-23

G15N10C データシート

非準拠

G15N10C 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
2495 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 110mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

MCH6341-TL-H
MCH6341-TL-H
$0 $/ピース
HUF75925D3ST
APT9M100S
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APT56F60L
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$0 $/ピース
IPB50R140CPATMA1
IPP80R600P7XKSA1
SIHA12N50E-E3
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$0 $/ピース
NVMFS5C430NWFAFT1G
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SIHFR9024TR-GE3
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IRFR420TRRPBF
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