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G30N02T

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N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

G30N02T データシート

非準拠

G30N02T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.62000 $0.62
500 $0.6138 $306.9
1000 $0.6076 $607.6
1500 $0.6014 $902.1
2000 $0.5952 $1190.4
2500 $0.589 $1472.5
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 900 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SIR403EDP-T1-GE3
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FQPF10N50CF
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SIHL620S-GE3
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IPP070N08N3GXKSA1
FQAF11N90C
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NVB082N65S3F
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SSM3J35AMFV,L3F
IPW65R019C7FKSA1
NVD5C684NLT4G
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BUK7506-55B,127
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