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G30N03D3

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N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G30N03D3 データシート

compliant

G30N03D3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 825 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 24W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (3.15x3.05)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

IRF9532
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$0 $/ピース
IXFP4N100PM
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FDMA037N08LC
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NTMFS6H824NT1G
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$0 $/ピース
06N06L
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$0 $/ピース
DMT6010LFG-7
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$0 $/ピース
DMN4020LFDEQ-13
G2014
G2014
$0 $/ピース
2SJ495-S12-AZ
FS50KMJ-06F#B00

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