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G65P06D5

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P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

G65P06D5 データシート

compliant

G65P06D5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.52000 $1.52
500 $1.5048 $752.4
1000 $1.4896 $1489.6
1500 $1.4744 $2211.6
2000 $1.4592 $2918.4
2500 $1.444 $3610
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5814 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 130W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (4.9x5.75)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

NTTFS080N10GTAG
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2SK1274-AZ
RFP7N40
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IPT044N15N5ATMA1
DMT47M2SFVWQ-7
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RFB18N10CS
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UPA1759G-E1-A
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$0 $/ピース
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NVTYS025P04M8LTWG
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NTTFS8D1N08HTAG
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$0 $/ピース

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