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G65P06T

G65P06T

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P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~

SOT-23

G65P06T データシート

非準拠

G65P06T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
20 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 65A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5814 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 130W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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