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GC11N65F

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N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

GC11N65F データシート

compliant

GC11N65F 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.95000 $1.95
500 $1.9305 $965.25
1000 $1.911 $1911
1500 $1.8915 $2837.25
2000 $1.872 $3744
2500 $1.8525 $4631.25
49 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 901 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

2SK3634-AZ
SUM90N03-2M2P-E3
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SSM3J356R,LF
HUF75945G3
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STWA50N65DM2AG
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HUF75639S3_NL
ATP404-TL-H
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SQD40061EL-T4_GE3
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SIHG22N65E-GE3
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