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GC11N65M

GC11N65M

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N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

GC11N65M データシート

compliant

GC11N65M 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.88000 $1.88
500 $1.8612 $930.6
1000 $1.8424 $1842.4
1500 $1.8236 $2735.4
2000 $1.8048 $3609.6
2500 $1.786 $4465
800 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 768 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

TSM650P02CX RFG
IPD60R360P7SAUMA1
SQ4401EY-T1_GE3
SQ4401EY-T1_GE3
$0 $/ピース
STFW60N65M5
STFW60N65M5
$0 $/ピース
IXFT140N20X3HV
IXFT140N20X3HV
$0 $/ピース
FDC86244
FDC86244
$0 $/ピース
BSH207,135
BSH207,135
$0 $/ピース
SQP120N06-3M5L_GE3
FDN358P
FDN358P
$0 $/ピース
SPB18P06PGATMA1

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