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GC20N65T

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N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

GC20N65T データシート

非準拠

GC20N65T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.97000 $2.97
500 $2.9403 $1470.15
1000 $2.9106 $2910.6
1500 $2.8809 $4321.35
2000 $2.8512 $5702.4
2500 $2.8215 $7053.75
100 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1724 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 151W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

RM90N30LD
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$0 $/ピース
STD11NM50N
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IPB80N06S2H5ATMA2
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