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GT025N06D5

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N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

compliant

GT025N06D5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
125 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 95A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5950 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 120W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (5.2x5.86)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

SCT2280KEGC11
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IXTT140N10P-TRL
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BUK763R4-30,118
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