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GT100N12M

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N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

GT100N12M データシート

非準拠

GT100N12M 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.78000 $1.78
500 $1.7622 $881.1
1000 $1.7444 $1744.4
1500 $1.7266 $2589.9
2000 $1.7088 $3417.6
2500 $1.691 $4227.5
800 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 70A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3050 pF @ 60 V
FET機能 -
消費電力(最大) 120W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SIHH11N60E-T1-GE3
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FDPF20N50FT
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BUK764R3-40B,118
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IXFN44N100P
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STP60NF10
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SIR474DP-T1-GE3
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