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GT100N12T

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N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

GT100N12T データシート

compliant

GT100N12T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
70 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 70A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3050 pF @ 60 V
FET機能 -
消費電力(最大) 120W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

PSMN2R4-30YLDX
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SIHP24N65E-GE3
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BUK4D38-20PX
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2N7002LT1G
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NTP75N03-006
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$0 $/ピース
TSM260P02CX6 RFG
DMN2310UT-13
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$0 $/ピース
IPB080N06N G
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SQJ457EP-T2_GE3
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IXFT44N50P
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$0 $/ピース

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