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BSB012N03LX3G

BSB012N03LX3G

BSB012N03LX3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BSB012N03LX3G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
5766 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 39A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 169 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 16900 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース 3-WDSON
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関連部品番号

G09P02L
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$0 $/ピース
DMN6069SFG-7
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NTD4404NT4G
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NVMTS1D6N10MCTXG
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MCM1567-TP
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PMPB07R3ENAX
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DMTH3004LFG-13
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