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BSB056N10NN3GXUMA1

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MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON

compliant

BSB056N10NN3GXUMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $1.56119 -
7880 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta), 83A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5500 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース 3-WDSON
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