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BSC009NE2LSATMA1

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MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON

非準拠

BSC009NE2LSATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.97200 -
10,000 $0.95400 -
320 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 41A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5800 pF @ 12 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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