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BSC010N04LSIATMA1

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MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON

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BSC010N04LSIATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $1.65984 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 37A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6200 pF @ 20 V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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