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BSC060P03NS3EGATMA1

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MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON

非準拠

BSC060P03NS3EGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.48279 -
10,000 $0.46464 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17.7A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.1V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6020 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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