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BSC082N10LSGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

compliant

BSC082N10LSGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $1.17975 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.8A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 110µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7400 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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SQJA76EP-T1_GE3
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STP9NK60ZFP
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