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BSZ018NE2LSIATMA1

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MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON

非準拠

BSZ018NE2LSIATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $0.75075 -
10,000 $0.73500 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2500 pF @ 12 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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