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BSZ0911LSATMA1

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MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

compliant

BSZ0911LSATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 670 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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SI5463EDC-T1-GE3
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SIE862DF-T1-GE3
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