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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 45A (Tj) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
vgs(th) (最大) @ id | 5.55V @ 20mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 124nC @ 15V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 3.68nF @ 800V |
パワー - 最大 | - |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY1B-2 |
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