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FF11MR12W1M1B11BOMA1

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MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

非準拠

FF11MR12W1M1B11BOMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $155.83000 $155.83
72 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Last Time Buy
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (最大) @ id 5.55V @ 40mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 250nC @ 15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7950pF @ 800V
パワー - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤーデバイスパッケージ Module
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関連部品番号

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