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IMBG65R107M1HXTMA1

IMBG65R107M1HXTMA1

IMBG65R107M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R107M1HXTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $10.39000 $10.39
500 $10.2861 $5143.05
1000 $10.1822 $10182.2
1500 $10.0783 $15117.45
2000 $9.9744 $19948.8
2500 $9.8705 $24676.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ -
テクノロジー -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ -
サプライヤーデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
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関連部品番号

SI3401AHE3-TP
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$0 $/ピース
DMN4008LFG-13
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$0 $/ピース
G7P03L
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$0 $/ピース
IXTH58N25L2
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$0 $/ピース
2SJ279S-E
NVMFS4C308NT1G
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PMN15ENEX
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SQR97N06-6M3L_GE3
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NE5510279A-T1-A
IRFD322
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