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IPB019N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

非準拠

IPB019N06L3GATMA1 価格と注文

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2,000 $2.23327 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 120A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 196µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 166 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 28000 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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