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IPB060N15N5ATMA1

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MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

compliant

IPB060N15N5ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $3.47563 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 136A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 8V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.6V @ 180µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5300 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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関連部品番号

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SIRA04DP-T1-GE3
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SISH116DN-T1-GE3
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