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IPB083N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

compliant

IPB083N10N3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.74250 -
2,000 $0.69300 -
5,000 $0.65835 -
10,000 $0.63360 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.3mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 75µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3980 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SSM3J09FU,LF
MCQ05P10Y-TP
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FCHD040N65S3-F155
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SIR638ADP-T1-RE3
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RSR015P03TL
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SUD90330E-GE3
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STP30N10F7
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