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IPB100N04S303ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

compliant

IPB100N04S303ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.41189 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 214W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

STW68N65DM6-4AG
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FQPF3N60
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NVMFS5C628NLWFAFT1G
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NTLJF4156NT1G
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DMP6250SE-13
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IXTT20P50P
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NTMFS5C442NT1G
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NTH4L027N65S3F
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