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IPB110P06LMATMA1

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MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3

compliant

IPB110P06LMATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.93000 $5.93
500 $5.8707 $2935.35
1000 $5.8114 $5811.4
1500 $5.7521 $8628.15
2000 $5.6928 $11385.6
2500 $5.6335 $14083.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 5.55mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 281 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8500 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SIHH11N65E-T1-GE3
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IXFA4N100P-TRL
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$0 $/ピース
AON7430
C3M0040120J1-TR
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STD5N95K5
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APT77N60SC6
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CSD13383F4T
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