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IPB50CN10NGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

非準拠

IPB50CN10NGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
3000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 20µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1090 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 44W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

ISC0805NLSATMA1
NVMFS5C646NLAFT3G
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$0 $/ピース
SI3447CDV-T1-E3
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$0 $/ピース
IXTA300N04T2-7
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$0 $/ピース
NVMTS0D7N04CTXG
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$0 $/ピース
STW65N80K5
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$0 $/ピース
TN0702N3-G
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DMN62D1LFB-7B
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RM12N100LD
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$0 $/ピース
IPA60R199CPXKSA1

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