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IPB60R090CFD7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2

非準拠

IPB60R090CFD7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.46000 $7.46
500 $7.3854 $3692.7
1000 $7.3108 $7310.8
1500 $7.2362 $10854.3
2000 $7.1616 $14323.2
2500 $7.087 $17717.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 90mOhm @ 11.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 570µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2103 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 124W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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