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IPB60R125CFD7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2

compliant

IPB60R125CFD7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.62840 $3.6284
500 $3.592116 $1796.058
1000 $3.555832 $3555.832
1500 $3.519548 $5279.322
2000 $3.483264 $6966.528
2500 $3.44698 $8617.45
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 390µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1503 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 92W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMP610DLQ-13
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$0 $/ピース
HUF75631S3ST
SIR494DP-T1-GE3
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STH140N6F7-2
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$0 $/ピース
FDU6512A
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$0 $/ピース
IXTH88N30P
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$0 $/ピース
SIE874DF-T1-GE3
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MTB15N06V
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STF12NK60Z
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