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IPB60R165CPATMA1

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MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3

compliant

IPB60R165CPATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $2.46785 -
2,000 $2.34446 -
2636 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 165mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 790µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 192W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AOSS62934
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NTD4969N-1G
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NVMJS2D5N06CLTWG
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STB32N65M5
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RD3L050SNTL1
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