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IPB60R180P7ATMA1

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IPB60R180P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

SOT-23

非準拠

IPB60R180P7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.29913 -
2,000 $1.20954 -
5,000 $1.16474 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 280µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1081 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 72W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

FDS2572
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2SK3702
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RM47N650T7
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IAUT260N10S5N019ATMA1
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BSC150N03LD
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