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IPB60R950C6ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK

compliant

IPB60R950C6ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 130µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 280 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 37W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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SI5913DC-T1-GE3
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STY130NF20D
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SI7447ADP-T1-GE3
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NVATS5A304PLZT4G
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NTF3055L108T3LF
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PSMN003-30B,118
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