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IPB65R041CFD7ATMA1

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HIGH POWER_NEW

compliant

IPB65R041CFD7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $13.77000 $13.77
500 $13.6323 $6816.15
1000 $13.4946 $13494.6
1500 $13.3569 $20035.35
2000 $13.2192 $26438.4
2500 $13.0815 $32703.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 41mOhm @ 24.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 1.24mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4975 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 227W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMTH10H003SPSW-13
SIHB186N60EF-GE3
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$0 $/ピース
NVTFWS007N08HLTAG
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DMN67D8LV-7
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$0 $/ピース
RJK6002DPH-E0#T2
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$0 $/ピース
2SJ607-ZJ-AZ
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MCAC80P06Y-TP
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DMP26M1UFG-13
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SIHG64N65E-GE3
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SFT1452-H
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$0 $/ピース

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