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IPB65R190C6ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK

compliant

IPB65R190C6ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.35000 $1.35
500 $1.3365 $668.25
1000 $1.323 $1323
1500 $1.3095 $1964.25
2000 $1.296 $2592
2500 $1.2825 $3206.25
513 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 730µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 73 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1620 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 151W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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