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IPB80N06S2L06ATMA2

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2L06ATMA2 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.03372 -
2,000 $0.96243 -
5,000 $0.92678 -
10,000 $0.90734 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 180µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AOD6N50
SQJQ100E-T1_GE3
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APT30M70BVRG
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SIS472ADN-T1-GE3
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IRL3803STRLPBF
NTP65N02RG
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STH290N4F6-2AG
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IPB80N04S2L03ATMA1
NTTS2P03R2
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IXTP160N10T
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$0 $/ピース

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