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IPC100N04S51R2ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

非準拠

IPC100N04S51R2ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $1.07922 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 90µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 131 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7650 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-34
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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