ichome.comへようこそ!

logo

IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

非準拠

IPD068N10N3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.08628 -
5,000 $1.04605 -
2206 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 90A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 90µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4910 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IRF7606TRPBF
IRF7606TRPBF
$0 $/ピース
FQPF10N60C
FQPF10N60C
$0 $/ピース
SI7431DP-T1-GE3
SI7431DP-T1-GE3
$0 $/ピース
PJD45N06A-AU_L2_000A1
NDT01N60T1G
NDT01N60T1G
$0 $/ピース
SI1032R-T1-GE3
SI1032R-T1-GE3
$0 $/ピース
SIR182DP-T1-RE3
SIR182DP-T1-RE3
$0 $/ピース
RJK0651DPB-00#J5
NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。