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IPD068P03L3GBTMA1

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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

非準拠

IPD068P03L3GBTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
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2000 $0 $0
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0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 70A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7720 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SFU9220TU_AM002
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$0 $/ピース
IXFH9N80Q
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IXTQ28N15P
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IRLMS5703TR
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