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IPD079N06L3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

compliant

IPD079N06L3GATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63460 $0.6346
500 $0.628254 $314.127
1000 $0.621908 $621.908
1500 $0.615562 $923.343
2000 $0.609216 $1218.432
2500 $0.60287 $1507.175
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 34µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4900 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 79W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-311
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0
$0 $/ピース
IRL640SPBF
IRL640SPBF
$0 $/ピース
SIA471DJ-T1-GE3
SIA471DJ-T1-GE3
$0 $/ピース
IXFH12N100P
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$0 $/ピース
SI8465DB-T2-E1
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$0 $/ピース
FDU6N50TU
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$0 $/ピース
SISS66DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
TN2425N8-G
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$0 $/ピース
BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
$0 $/ピース
IPB80N06S2L09ATMA2

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