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IPD09N03LA G

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MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

非準拠

IPD09N03LA G 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 20µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1642 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NVMFS6B25NLWFT3G
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$0 $/ピース
IRF8721PBF
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IXTH420N04T2
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$0 $/ピース
SQ3442EV-T1-GE3
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$0 $/ピース
MCP87130T-U/LC
AON6444L
IRFR13N15DPBF
STH110N10F7-6
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IXFL44N100P
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$0 $/ピース
IXTA32N20T
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$0 $/ピース

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