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IPD135N03LGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

SOT-23

非準拠

IPD135N03LGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.29125 -
5,000 $0.27116 -
12,500 $0.26112 -
25,000 $0.25564 -
11712 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1000 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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