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IPD18DP10LMATMA1

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IPD18DP10LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

compliant

IPD18DP10LMATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.77000 $1.77
500 $1.7523 $876.15
1000 $1.7346 $1734.6
1500 $1.7169 $2575.35
2000 $1.6992 $3398.4
2500 $1.6815 $4203.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 178mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1.04mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2100 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

DMN24H11DSQ-7
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CDM7-650 TR13 PBFREE
SIHA22N60E-E3
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$0 $/ピース
NTMFS5C442NT3G
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$0 $/ピース
AON6156
IRF634STRRPBF
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$0 $/ピース
IXTY2N65X2
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$0 $/ピース
FQP8N60C
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PSMN015-60PS,127
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$0 $/ピース

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