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IPD25CN10NGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

非準拠

IPD25CN10NGATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.51975 -
5,000 $0.49376 -
12,500 $0.47520 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 25mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 39µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2070 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 71W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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1HP04CH-TL-W
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