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IPD30N06S2L-13

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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

compliant

IPD30N06S2L-13 価格と注文

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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 80µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 136W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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