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IPD60R180C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3

compliant

IPD60R180C7ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.34779 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 260µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1080 pF @ 400 V
FET機能 -
消費電力(最大) 68W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IXFP76N15T2
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NTMJS0D7N03CGTWG
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NVTFS003N04CTAG
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SIHG050N60E-GE3
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