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IPD60R380E6BTMA1

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MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

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IPD60R380E6BTMA1 価格と注文

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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 300µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 700 pF @ 100 V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 155°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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FQD9N25TM-F085
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STB21N65M5
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APT84M50L
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SQJ422EP-T1_GE3
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