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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Not For New Designs |
FETタイプ | N-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 10.6A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 3.5V @ 320µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 39 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 710 pF @ 100 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 83W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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